泰克TektronixTIVPO5L光隔离探头

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IsoVu 探头技术可在基准电压以 100V/ns 或更度回转 ±60kV 时提供高达 ±2500V 的差分测量。第二代探头采用 IsoVu 第 2 代设计，其尺寸仅为代的五分之一，但却拥有所有的 IsoVu 技术优势。

凭借通用的 MMCX 连接器以及带宽、动态范围和共模抑制功能的结合，IsoVu Gen 2 探头为隔离探头技术树立了新标准，并能够通过 SiC 和 GaN 实现宽带隙电源设计。

IsoVu 探头的优势

IsoVu 技术使用光纤供电和光模拟信号路径，以在测量系统和 DUT 之间实现完全光电隔离。这种隔离的重要优势是允许探头在共模电压下立浮动。

• DC 时 160 dB (100,000,000:1) CMRR

• 100 MHz 时高达 120 dB (1,000,000:1) CMRR

• 1 GHz 时高达 80 dB (10,000:1) CMRR

• ±60 kV 共模电压范围

• 高达 ±2500 V 差分输入电压范围

• 高达 ±2500 V 偏置范围

高压和高带宽

如果使用传统的差分探头，则在高带宽或高电压电平之间进行选择。IsoVu 探头具有屏蔽同轴电缆和隔离层，可提供高带宽和 ±2500 V 的差分电压范围。第 2 代 IsoVu 可提供 200 MHz、500 MHz 和 1 GHz 的带宽，以满足您的预算和性能要求。

功率转换器和电机驱动设计中的浮动测量

在半桥功率转换器中进行高边测量充满挑战，因为测量时参考的源或集电极会上下摆动。SiC 和 GaN FET 等宽带隙器件更难测量，因为它们可以在几纳秒内切换高压。这种变化的共模电压产生的噪声进入差分测量结果中，并掩盖 VGS 和 VDS 的详细信息。IsoVu 探头在全带宽下具有的共模抑制性能，通常能够查看到信号详细信息。

应用

• 使用 SiC 或 GaN、FET 或 IGBT 的半/全桥设计

• 浮动测量

• 功率转换器设计

• 电源设备评估

• 开关电源设计

• 逆变器设计

• 电机驱动设计

• 电子镇流器设计

• EMI 和 ESD 故障排除

• 电流并联测量